미국 반도체업체 인텔이 일본 소프트뱅크와 손잡고 HBM(고대역폭메모리)을 대체할 '적층형 DRAM' 개발에 나선다.
엔비디아, 구글 등의 데이터센터용 GPU 반도체 공급 확대로 수요가 급증하고 있는 AI용 HBM은 SK하이닉스와 섬성전자가 주도하고 있다.
일본 닛케이아시아 보도에 따르면 인텔과 소프트뱅크는 인텔 기술과 도쿄대학 등 일본 학계의 특허를 기반으로 적층형 DRAM 개발을 위해 '사이메모리(Saimemory)'라는 합작사를 설립했다.
사이메모리는 2027년까지 적층형 DRAM 프로토타입 개발을 완료하고 양산 가능성을 평가한 뒤 2030년 내에 대량생산에 들어가는 것을 목표로 하고 있다.
대부분의 AI용 반도체 프로세서는 HBM 칩을 사용하는데, 이는 AI GPU가 처리하는 방대한 양의 데이터를 임시로 저장하는 데 적합하기 때문니다. 하지만 이 프로세스는 제조가 복잡하고고 가격이 비싸다. 게다가 발열 문제가 발생하고 전력 소모량도 높다는 단점이 있다.
인텔과 소프트뱅크는 DRAM 칩을 더 효율적으로 적층하는 방법을 개발함으로써 이 문제를 해결한다는 것이다. 양 사 개발팀은 적층형 DRAM 칩의 전력 소비량은 유사한 HBM 칩 대비 절반으로 줄어들 수 있다고 밝히고 있다.
소프트뱅크는 HBM 대체품 개발에 성공할 경우, IT기업들의 칩 공급에 대한 우선권을 확보할 수 있을 것으로 기대하고 있다.
현재 첨단 HBM 칩 공급은 한국의 SK하이닉스, 삼성전자, 미국 마이크론 등 3개업체로 AI 칩에 대한 수요가 급증하면서 HBM 공급로 급격히 늘어나고 있다. 사이메모리는 적어도 일본 데이터센터를 위한 대체 제품을 통해 시장을 독점한다는 계획이다.
한편, 3D 적층 DRAM 개발 계획은 지난해 삼성전자가 처음 발표한 데 이어 NEO Semiconductor도 3D X-DRAM 개발에 나서는 등 각 사의 개발 경쟁도 치열해지고 있다.
