삼성전자가 DRAM 공정 업그레이드를 위해 1y nm DDR4 메모리 모듈을 오는 12월10일까지만 공급한다.
대만 매체 ‘일렉트로닉 타임즈’가 대만 반도체 소재 공급망을 통해 확인한 바에 의하면 삼성전자는 DRAM 메모리 공정 기술 전환과 고사양 제품 생산을 위해 구형 1ynm(2세대 10nm 수준) 공정의 DDR4 모듈(메모리 모듈)의 공급 중단을 결정했다.
대만 반도체 소재 공급망 업체들은 최근 삼성으로부터 제품 EOL(End of Life Cycle) 통보를 받았으며, 8GB, 16GB 용량의 DDR4 SODIMM/UDIMM 메모리 모듈의 마지막 주문 날짜는 6월 초, 최종 배송은 2025년 12월 10일에 완료될 예정이다.
삼성전자는 기존 DRAM 메모리 생산 라인을 DDR5와 HBM(고대역폭메모리) 등 최신 고사양 제품으로의 전환을 빠르게 추진하고 있으며, 동시에 기존 DDR3와 DDR4 생산은 순차적으로 중단하고 있다.
삼성전자는 당초 DDR3와 DDR4의 생산을 점진적으로 줄여나갈 것으로 예상됐으나 DDR3를2024년 2분기부터 생산 중단한데 이어 DDR4도 올해 안에 완전 중단한다는 계획이다.
이에 따라 1y nm DDR4 생산은 전체 용량에서 차지하는 비중이 지난해의 20%에서 올해 하반기에는 10% 미만으로 떨어질 예정이며, 차세대 1z nm DDR4도 2027년에 단종될 예정이다.
삼성전자외에 SK하이닉스, 마이크론도 올해 안에 DDR3와 DDR4 등 구형 D램의 생산을 완전 중단할 예정이다. 구형 메모리 분야에서 중국 업체들의 저가 물량 공세가 거세지면서 HBM 등 첨단 메모리 중심 제품 포트폴리오로 재편을 서두르고 있다.
중국 메모리 업체들은 DDR4를 삼성, SK하이닉스 제품보다 훨씬 싼 값에 대규모로 공급중이며 중국 창신메모리(CXMT)는 구형 DDR4를 이들의 절반 값에 판매하고 있는 것으로 알려졌다.
