고성능 컴퓨팅 분야의 핵심 기술인 HBM(고대역폭 메모리)을 탑재한 스마트폰이 2027년 선보인다.
업계에 따르면 애플은 아이폰(iPhone) 출시 20주년인 2027년 플래그십 모델에 세계 최초로 HBM의 모바일 버전을 선보일 계획이다.
이 기술은 스마트폰에 3D 스태킹과 실리콘 관통전극(TSV) 프로세스를 통해 여러 층의 DRAM을 수직으로 통합, 대역폭의 반도체를 탑재하는 것으로, 현재의 64GB/s의 LPDDR5X에 비해 HBM3는 이보다 10배 높은 512GB/s의 대역폭 용량을 제공한다.
이를 통해 대규모 모델 추론이나 이미지 생성 같은 실시간 AI작업 효율성이 크게 향상될 뿐만 아니라 전력 소비도 40% 이상 줄일 수 있다.
이를 위해 애플은 삼성전자(VCS 패키징 솔루션), SK하이닉스(VFO 패키징 기술)와 손잡고 2026년 양산을 목표로 모바일 HBM을 개발 중인 것으로 알려졌다.
하지만 HBM의 가격이 LPDDR보다 3-5배나 비싸고 3D 스태킹은 열 밀도가 높기 때문에 새로운 방열 재료 또는 액체 냉각 설계가 필요하며 TSV 공정의 복잡성 때문에 업계 평균 수율이 40%-60%에 불과해 아직 해결해야 할 과제가 남아 있어 애플의 계획대로 2027년에 HBM의 모바일 버전이 나올 수 있을 지는 미지수다.
하지만 고성능 메모리반도체인 HBM 적용이 AI분야를 넘어 스마트폰으로까지 확대되면 삼성전자와 SK하이닉스의 공급량도 획기적으로 늘어날 전망이다.
