SK하이닉스는 23일 "올해 고대역폭 메모리(HBM) 매출이 전년 대비 100% 이상 성장할 것"이라며 "(6세대인) HBM4 제품은 올해 하반기 중 개발과 양산 준비를 마무리하고 공급을 시작하는 것이 목표"라고 밝혔다.
이에 따라 올해 투자 중 대부분도 HBM과 인프라 투자에 집중한다는 계획이다.
SK하이닉스는 23일 지난해 4분기·연간 실적 발표 콘퍼런스콜에서 "HBM4는 기술 안정성과 양산성이 입증된 1b나노 기술을 적용해 개발을 진행 중"이라며 이같이 밝혔다.
SK하이닉스는 "HBM4는 12단 제품을 시작으로 하고 이후 16단 제품은 고객 요구 시점에 맞춰 공급할 예정으로 내년 하반기를 예상하고 있다"며 "어드밴스드 MR-MUF 기술을 HBM3E에 선제 적용한 경험을 바탕으로 향후 HBM4 16단 양산에 적용할 수 있을 것"이라고 설명했다.
SK하이닉스는 이어 "HBM4의 경우 처음으로 베이스 다이에 로직 파운드리를 활용해 성능과 전력 특성을 보강할 계획이며 이를 위해 TSMC와 '원팀' 체계를 구축해 협업하고 있다"고 덧붙였다.
SK하이닉스는 HBM 효과에 힘입어 지난해 4분기와 연간 모두 사상 최대 실적을 썼다.
지난해 연간 HBM 매출은 전년과 비교할 때 4.5배 이상 증가했고, 4분기 HBM 매출은 전체 D램 매출의 40% 이상을 차지했다.
지난해 9월 세계 최초로 양산에 돌입한 HBM3E 12단 제품도 현재 차질 없이 공급 중이다. HBM3E 12단은 당초 계획대로 올해 상반기 내 HBM3E 출하량의 절반 이상을 차지할 전망이다.
SK하이닉스는 "주문형 반도체(ASIC) 기반의 고객 수요가 의미있게 증가하며 고객이 확대될 것"이라고 덧붙였다.
SK하이닉스는 특히 시황에 민감한 메모리 반도체 특성에도 HBM 기술력을 중심으로 한 수익성 위주 전략으로 안정적인 이익 창출 구조를 갖췄다는 점을 거듭 강조했다.
SK하이닉스는 "AI 메모리 수요 성장으로 메모리 시장이 고성능·고품질 중심의 고객 맞춤형 시장으로 변화하고 있다"며 "고객의 높은 요구를 만족시키는 제품을 적기에 제공하는 경쟁력을 확보해 메모리 업체도 안정적으로 수익을 얻을 수 있다"고 말했다.
실제로 범용(레거시) D램 제품의 가격 하락에도 HBM 등 고부가 제품의 판매 확대로 D램 평균판매단가(ASP)는 10% 증가했다고 SK하이닉스는 전했다.
SK하이닉스는 "일부 고객과 내년 HBM 공급 물량 논의를 시작했고 올해 상반기 중 내년 물량 대부분에 대해 가시성을 확보할 것으로 예상된다"며 "HBM의 높은 투자 비용 등을 고려해 장기 계약 체결 구조를 유지할 계획"이라고 밝혔다.
이어 "AI 시장은 학습, 추론 기능과 더불어 다양한 산업에 AI 서비스가 접목되는 방향으로 발전해 기대 이상의 성장 잠재력을 가지고 있다"며 "장기적인 HBM 수요 성장은 의심의 여지가 없다"고 강조했다.
낸드의 경우 기존 수익성 중심의 사업 운영 기조를 이어갈 방침이다.
SK하이닉스는 "지난해 eSSD를 제외하고 제한적으로 생산을 유지해왔다"며 "앞으로도 낸드는 수요 개선이 확인될 때까지 현재와 같은 운영 기조를 유지하며 시장 상황에 따라 탄력적으로 운영하고 재고 정상화에 주력할 계획"이라고 설명했다.
이어 "올해 투자 규모는 고객과 이미 협의한 물량 공급을 위한 HBM 투자와 미래 성장 인프라 확보를 위한 M15X, 용인 팹(fab·반도체 생산공장) 건설로 작년 투자금 대비 다소 증가할 것"이라며 "인프라 투자가 전년 대비 큰 폭으로 증가할 것"이라고 말했다.
SK하이닉스는 현재 청주에 건설 중인 M15X를 올해 4분기 중 오픈할 예정이며 용인 클러스터 1기 팹의 경우 2027년 2분기 오픈을 목표로 올해부터 공사를 시작할 계획이다.
