삼성전자가 오는 5월부터 차세대 고대역폭메모리(HBM) 제품인 HBM4E의 성능 샘플 생산에 착수할 계획으로 알려지면서, 본격 공급을 위한 기술 검증과 양산 준비가 본궤도에 오를 전망이다.
업계에 따르면 삼성전자는 5월 중 HBM4E 성능 샘플 생산을 시작해 주요 고객사 요구 수준을 충족하는지 검증할 계획이다.
앞서 삼성전자는 2026년 3월 열린 엔비디아 GTC 2026에서 HBM4E 메모리를 공개한 바 있다.
당시 제품은 핀(Pin)당 16Gbps 데이터 전송 속도와 최대 4.0TB/s 대역폭을 구현할 수 있는 성능을 제시하며 차세대 인공지능(AI) 서버용 메모리 경쟁력을 강조했다.
다만 업계에서는 해당 시제품이 기술력을 보여주기 위한 시연용 성격이 강했다는 평가도 나왔다.
HBM4E는 기존 HBM4와 동일하게 1c 나노미터(nm) D램 다이와 4nm 베이스 다이를 기반으로 설계되지만, 공정 효율과 성능 안정성을 높이기 위한 세부 기술 개선이 적용될 것으로 알려졌다.
특히 파운드리 부문이 5월 중순 이전 베이스 다이 생산을 완료한 뒤 메모리 사업부로 전달해 3차원(3D) 패키징 공정을 진행하는 방식이 유력하다.
시장에서는 이번 일정이 AI 반도체 경쟁 구도와 직결된 중요한 이정표로 보고 있다. 최근 생성형 AI와 데이터센터 확대로 고성능 메모리 수요가 급증하면서 HBM 기술 확보 여부가 반도체 기업 경쟁력을 좌우하는 핵심 요소로 부상했기 때문이다.
특히 엔비디아 등 주요 AI 칩 기업들이 차세대 HBM 공급망 확보에 적극 나서고 있어, 메모리 업체 간 기술 경쟁도 한층 치열해질 전망이다.
삼성전자의 HBM4E 성능 샘플 생산은 차세대 AI 메모리 시장 주도권 확보를 위한 본격적인 시험대가 될 것으로 보인다.
향후 성능 검증 결과와 고객사 채택 여부에 따라 글로벌 HBM 시장 경쟁 구도에도 적지 않은 영향을 미칠 것으로 보인다.
댓글
댓글 쓰기